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UGBT、MOSFET - 單
APT100GN60LDQ4G參考圖片

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APT100GN60LDQ4G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
229A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.85V @ 15V，100A
功率 - 最大值
625W
開關能量
4.75mJ（開）， 2.675mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
600nC
25°C 時 Td（開/關）值
31ns/310ns
測試條件
400V，100A，1 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，100A，1 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264 [L]
商品其它信息
優勢價格，APT100GN60LDQ4G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO220AB
暫無價格
參考庫存:42426
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 41A 160W TO247AD
暫無價格
參考庫存:42434
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
暫無價格
參考庫存:42442
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
暫無價格
參考庫存:42450
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:42458
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