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UGBT、MOSFET - 單
APT50GP60B2DQ2G參考圖片

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APT50GP60B2DQ2G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS 7?
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
190A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
625W
開關能量
465μJ（開），635μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
165nC
25°C 時 Td（開/關）值
19ns/85ns
測試條件
400V，50A，4.3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，50A，4.3 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商器件封裝
TO-247-3 變式
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 40A 250W TO247AD
暫無價格
參考庫存:3499
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 60W TO220
暫無價格
參考庫存:3771
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 170A 750W TO247
暫無價格
參考庫存:2903
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO263-3
暫無價格
參考庫存:37891
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 40A 168W TO3P
暫無價格
參考庫存:4073
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