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UGBT、MOSFET - 單
IXGT50N90B2D1參考圖片

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IXGT50N90B2D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFAST?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
75A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
400W
開關能量
4.7mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
135nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/350ns
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
200ns
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
暫無價格
參考庫存:33846
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 49.2W TO220F
暫無價格
參考庫存:33854
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 22A 66W DPAK
暫無價格
參考庫存:33862
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 60A 454W TO247-3
暫無價格
參考庫存:33870
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:33878
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