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UGBT、MOSFET - 單
SGR2N60UFDTM參考圖片

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SGR2N60UFDTM

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
2.4A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
10A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.6V @ 15V，1.2A
功率 - 最大值
25W
開關能量
30μJ（開），13μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
9nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/80ns
測試條件
300V，1.2A，200 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
300V，1.2A，200 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
D-Pak
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 167W TO247
暫無價格
參考庫存:8664
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
暫無價格
參考庫存:41167
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 9A 45W TO252AA
暫無價格
參考庫存:41175
UGBT、MOSFET - 單
AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST
暫無價格
參考庫存:10217
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(
暫無價格
參考庫存:41185
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