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UGBT、MOSFET - 單
HGTP12N60C3D參考圖片

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HGTP12N60C3D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 24A 104W TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
24A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
96A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.2V @ 15V，15A
功率 - 最大值
104W
開關能量
380μJ（開），900μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
48nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
暫無價格
參考庫存:6612
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 120A 469W TO-247
暫無價格
參考庫存:40775
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A 82.4W TO263
暫無價格
參考庫存:40783
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
暫無價格
參考庫存:6485
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A TO220F3
暫無價格
參考庫存:6597
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