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UGBT、MOSFET - 單
IXGQ20N120BD1參考圖片

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IXGQ20N120BD1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
100A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
3.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值
190W
開關能量
2.1mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
62nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/270ns
測試條件
960V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:34270
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 55W TO220F
暫無價格
參考庫存:34278
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 300V 70A 160W D2PAK
暫無價格
參考庫存:34286
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1100V 60A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:34294
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W PLUS247
暫無價格
參考庫存:34302
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