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UGBT、MOSFET - 單

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NGTD13T65F2WP

  • ON Semiconductor
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  • IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
650V
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.2V @ 15V,30A
功率 - 最大值
2.2V @ 15V,30A
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
標準
25°C 時 Td(開/關)值
-
測試條件
-
反向恢復時間(trr)
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
暫無價格
參考庫存:39843
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
暫無價格
參考庫存:17160
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 75A 400W TO268
暫無價格
參考庫存:39853
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2500V TO247AD
暫無價格
參考庫存:39861
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 120A 417W TO247
暫無價格
參考庫存:39869
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