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UGBT、MOSFET - 單
STGD6M65DF2參考圖片

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STGD6M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
M
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
12A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，6A
功率 - 最大值
88W
開關能量
36μJ（開），200μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
21.2nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/90ns
測試條件
400V，6A，22 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
140ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
暫無價格
參考庫存:2193
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
暫無價格
參考庫存:3195
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
暫無價格
參考庫存:4692
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W TO3P
暫無價格
參考庫存:37305
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 43A 174W TO247
暫無價格
參考庫存:37313
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