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UGBT、MOSFET - 單
FGL60N100BNTD參考圖片

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FGL60N100BNTD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1000V 60A 180W TO264
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1000V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.9V @ 15V,60A
功率 - 最大值
180W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
275nC
25°C 時 Td(開/關)值
140ns/630ns
測試條件
600V,60A,51 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
1.2μs
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3,TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 460W TO264
暫無價格
參考庫存:45125
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
暫無價格
參考庫存:12347
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
暫無價格
參考庫存:19882
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A TO247PLUS
暫無價格
參考庫存:10934
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
暫無價格
參考庫存:45155
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