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UGBT、MOSFET - 單
APT65GP60L2DQ2G參考圖片

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APT65GP60L2DQ2G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS 7?
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
198A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
250A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，65A
功率 - 最大值
833W
開關能量
605μJ（開），895μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
210nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/90ns
測試條件
400V，65A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，65A，5 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商器件封裝
TO-264-3，TO-264AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 140A 454W TO247AD
暫無價格
參考庫存:41232
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
暫無價格
參考庫存:41240
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 28A 125W TO220AB
暫無價格
參考庫存:41248
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL
暫無價格
參考庫存:41256
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
暫無價格
參考庫存:41272
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