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UGBT、MOSFET - 單
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RGT8NS65DGTL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
65W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
13.5nC
25°C 時 Td（開/關）值
17ns/69ns
測試條件
400V，4A，50歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
40ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
LPDS（TO-263S）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 430V 21A 150W TO263AB
暫無價格
參考庫存:40036
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 400W TO247
暫無價格
參考庫存:40052
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
暫無價格
參考庫存:40060
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 25A 300W TO220
暫無價格
參考庫存:40084
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:40092
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