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參數(shù) | 參數(shù)值 |
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包裝
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管件
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系列
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BIMOSFET?
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零件狀態(tài)
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有源
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IGBT 類型
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-
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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3000V
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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104A
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脈沖電流 - 集電極 (Icm)
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400A
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不同Vge,Ic 時的Vce(on)
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3V @ 15V,42A
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功率 - 最大值
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500W
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開關能量
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-
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輸入類型
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標準
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柵極電荷
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200nC
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25°C 時 Td(開/關)值
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72ns/445ns
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測試條件
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1500V,42A,20 歐姆,15V
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反向恢復時間(trr)
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1.7μs
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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封裝/外殼
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TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
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供應商器件封裝
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TO-268
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數(shù)據(jù)手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數(shù)量 |
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UGBT、MOSFET - 單
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IGBT 600V 75A 540W PLUS247
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暫無價格
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參考庫存:38986
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UGBT、MOSFET - 單
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IGBT 600V 55A 200W TO268
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暫無價格
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參考庫存:38994
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UGBT、MOSFET - 單
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IGBT 600V 16A 99W TO220AB
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暫無價格
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參考庫存:39010
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UGBT、MOSFET - 單
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IGBT 400V 1.6W TSOJ8
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暫無價格
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參考庫存:39018
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UGBT、MOSFET - 單
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IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC
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暫無價格
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參考庫存:39026
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