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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S10N120BNST參考圖片

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HGT1S10N120BNST

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
35A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
298W
開關能量
320μJ（開），800μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
100nC
25°C 時 Td（開/關）值
23ns/165ns
測試條件
960V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
960V，10A，10 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
暫無價格
參考庫存:38938
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 16A IPAK
暫無價格
參考庫存:38946
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W PLUS247
暫無價格
參考庫存:38954
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:38962
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 420V 30A 150W I2PAK
暫無價格
參考庫存:38970
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