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FET,MOSFET - 陣列
SI5975DC-T1-E3參考圖片

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SI5975DC-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
2 個 P 溝道(雙)
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
3.1A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
86 毫歐 @ 3.1A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 1mA(最?。?/span>
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD,扁平引線
供應商器件封裝
1206-8 ChipFET?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
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參考庫存:49868
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