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FET,MOSFET - 陣列

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DF11MR12W1M1PB11BPSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
EasyPACK?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N-通道(雙)
FET 功能
碳化硅 (SiC)
漏源電壓(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
50A(Tj)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
22.5 毫歐 @ 50A,15V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.55V @ 20mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
124nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3680pF @ 800V
功率 - 最大值
20mW
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
AG-EASY1B-2
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
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MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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參考庫存:49836
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