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FET，MOSFET - 陣列
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IRF7379QTRPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5.8A，4.3A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
45 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
520pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
2.5W
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
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參考庫存:16346
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參考庫存:16354
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