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FET,MOSFET - 陣列
SH8M11TB1參考圖片

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SH8M11TB1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
3.5A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
98 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
1.9nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
85pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝
8-SOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A MICROFET
暫無價格
參考庫存:166390
FET,MOSFET - 陣列
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FET,MOSFET - 陣列
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FET,MOSFET - 陣列
SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
暫無價格
參考庫存:13896
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
暫無價格
參考庫存:31400
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