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FET，MOSFET - 陣列
BSM180D12P2C101參考圖片

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BSM180D12P2C101

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
204A（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
23000pF @ 10V
功率 - 最大值
1130W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
-40°C ~ 150°C（TJ）
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
暫無價格
參考庫存:16346
FET，MOSFET - 陣列
T6 60V LL SO8FL DUAL
暫無價格
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FET，MOSFET - 陣列
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
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FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
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參考庫存:16352
FET，MOSFET - 陣列
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
暫無價格
參考庫存:16354
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