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FET，MOSFET - 射頻

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AFT21H350W04GSR6

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
最後搶購
晶體管類型
LDMOS
頻率
2.11GHz
增益
16.4dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
750mA
功率 - 輸出
63W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-1230S-4 GW
供應商器件封裝
NI-1230S-4 GULL
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
暫無價格
參考庫存:36776
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B
暫無價格
參考庫存:36784
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244
暫無價格
參考庫存:9289
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
暫無價格
參考庫存:11146
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4
暫無價格
參考庫存:8894
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