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FET，MOSFET - 射頻

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A2T18S162W31GSR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.84GHz
增益
20.1dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
1A
功率 - 輸出
32W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-780GS-2L2LA
供應商器件封裝
NI-780GS-2L2LA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT12587
暫無價格
參考庫存:36394
FET，MOSFET - 射頻
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
暫無價格
參考庫存:8367
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 945MHZ M250
暫無價格
參考庫存:36422
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4
暫無價格
參考庫存:36430
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
暫無價格
參考庫存:36438
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