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參數 | 參數值 |
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包裝
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托盤
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系列
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GaN
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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HEMT
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頻率
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1.4GHz
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增益
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14.5dB
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電壓 - 測試
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50V
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額定電流(安培)
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24A
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噪聲系數
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-
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電流 - 測試
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800mA
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功率 - 輸出
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900W
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電壓 - 額定
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125V
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封裝/外殼
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440117
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供應商器件封裝
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440117
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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IC AMP RF LDMOS
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暫無價格
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參考庫存:36876
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FET,MOSFET - 射頻
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RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B
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暫無價格
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參考庫存:9356
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FET,MOSFET - 射頻
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RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
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暫無價格
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參考庫存:36886
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FET,MOSFET - 射頻
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FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230
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暫無價格
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參考庫存:36894
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FET,MOSFET - 射頻
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BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
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暫無價格
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參考庫存:9109
|
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