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FET,MOSFET - 單個
BSS127 E6327參考圖片

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BSS127 E6327

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
SIPMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
21mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
500 歐姆 @ 16mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 8μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
1nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
28pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
暫無價格
參考庫存:42300
FET,MOSFET - 單個
RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
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暫無價格
參考庫存:42326
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