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FET，MOSFET - 單個
RJ1G12BGNTLL參考圖片

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RJ1G12BGNTLL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.86mOhm @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
165nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
12500pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
178W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTL
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
POWER MOSFET 80V, 110A, 4 M, SIN
暫無價格
參考庫存:49245
FET，MOSFET - 單個
T6 60V NCH LL IN U8FL
暫無價格
參考庫存:49253
FET，MOSFET - 單個
PFET U8FL 30V 15MO
暫無價格
參考庫存:49261
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
暫無價格
參考庫存:49269
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:49277
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