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FET,MOSFET - 單個
APT30N60KC6參考圖片

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APT30N60KC6

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
30A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
30A(Tc)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
125 毫歐 @ 14.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
88nC @ 10V
Vgs(最大值)
88nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2267pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
219W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220 [K]
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優勢價格,APT30N60KC6的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
暫無價格
參考庫存:42300
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RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
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暫無價格
參考庫存:42326
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