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FET，MOSFET - 單個

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JAN2N6796

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
軍用，MIL-PRF-19500/557
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
195 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
28.51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-39
封裝/外殼
TO-205AF 金屬罐
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
暫無價格
參考庫存:30776
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30784
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30816
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
暫無價格
參考庫存:30824
FET，MOSFET - 單個
MOSFET PCH 30V 9A SO8
暫無價格
參考庫存:30832
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