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FET,MOSFET - 單個
STI21N65M5參考圖片

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STI21N65M5

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? V
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
17A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
179 毫歐 @ 8.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1950pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
商品其它信息
優勢價格,STI21N65M5的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28206
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28214
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
暫無價格
參考庫存:28222
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:28230
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28238
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