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FET，MOSFET - 單個

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RJK5030DPD-02#J2

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.6 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
550pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
41.7W（Tc）
工作溫度
150°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
MP-3A
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:36127
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
暫無價格
參考庫存:36135
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO3FHY
暫無價格
參考庫存:36143
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:36151
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:36159
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