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FET,MOSFET - 單個(gè)
IRFB9N65APBF參考圖片

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IRFB9N65APBF

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
8.5A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
930 毫歐 @ 5.1A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
1417pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,IRFB9N65APBF的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
暫無價(jià)格
參考庫存:29323
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
暫無價(jià)格
參考庫存:29331
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
暫無價(jià)格
參考庫存:29339
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
暫無價(jià)格
參考庫存:29355
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
暫無價(jià)格
參考庫存:29363
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