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FET，MOSFET - 單個
SI1305EDL-T1-GE3參考圖片

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SI1305EDL-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
8V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
860mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
280 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
450mV @ 250μA（最?。?/span>
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-70-3
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
暫無價格
參考庫存:35663
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V TO220
暫無價格
參考庫存:35671
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
暫無價格
參考庫存:35679
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:35687
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
暫無價格
參考庫存:35695
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