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FET，MOSFET - 單個
IXFT6N100Q參考圖片

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IXFT6N100Q

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.9 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
48nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
暫無價格
參考庫存:25207
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
暫無價格
參考庫存:25215
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 26A
暫無價格
參考庫存:25223
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
暫無價格
參考庫存:25231
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
暫無價格
參考庫存:25239
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