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FET，MOSFET - 單個
IGT60R190D1SATMA1參考圖片

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IGT60R190D1SATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
CoolGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1,6V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
1,6V @ 960μA
Vgs（最大值）
-10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
157pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55,5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-HSOF-8-3
封裝/外殼
8-PowerSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220
暫無價格
參考庫存:219039
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
暫無價格
參考庫存:13320
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
暫無價格
參考庫存:11089
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
暫無價格
參考庫存:9772
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
暫無價格
參考庫存:25134
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