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FET，MOSFET - 單個
IPB180N06S4H1ATMA2參考圖片

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IPB180N06S4H1ATMA2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101，OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.7 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
270nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
21900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-7-3
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片），TO-263CB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42925
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 0.06A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:42941
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42949
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:42957
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
暫無價格
參考庫存:42973
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