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FET，MOSFET - 單個
SI4413DDY-T1-GE3參考圖片

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SI4413DDY-T1-GE3

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
MOSFET（金屬氧化物）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
114nC @ 10V
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4780pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
暫無價格
參考庫存:62808
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
暫無價格
參考庫存:62816
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
暫無價格
參考庫存:62824
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F
暫無價格
參考庫存:62832
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
暫無價格
參考庫存:62840
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