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FET，MOSFET - 單個
PHM12NQ20T,518參考圖片

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PHM12NQ20T,518

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
14.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
26nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1230pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HVSON（6x5）
封裝/外殼
8-VDFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
暫無價格
參考庫存:6308
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:5948
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
暫無價格
參考庫存:8572
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:9767
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
暫無價格
參考庫存:41504
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