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FET，MOSFET - 單個
IXTA86N20T參考圖片

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IXTA86N20T

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
86A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
29 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
90nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
480W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（IXTA）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:39591
FET，MOSFET - 單個
CONSUMER
暫無價格
參考庫存:39607
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4VSON
暫無價格
參考庫存:39615
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
暫無價格
參考庫存:39647
FET，MOSFET - 單個
TRENCH >=100V
暫無價格
參考庫存:39655
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