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FET，MOSFET - 單個
RW1A013ZPT2R參考圖片

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RW1A013ZPT2R

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
260 毫歐 @ 1.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
290pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-WEMT
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 120A
暫無價格
參考庫存:53499
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8A TO220
暫無價格
參考庫存:53523
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:5549
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
暫無價格
參考庫存:53533
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:53541
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