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FET，MOSFET - 單個
STB18N60DM2參考圖片

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STB18N60DM2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
MDmesh? DM2
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
295 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
800pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23
暫無價格
參考庫存:31333
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
暫無價格
參考庫存:31341
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
暫無價格
參考庫存:31349
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V LFPAK
暫無價格
參考庫存:31365
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
暫無價格
參考庫存:31373
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