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FET，MOSFET - 單個
IPI052NE7N3 G參考圖片

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IPI052NE7N3 G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.2 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 91μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
68nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4750pF @ 37.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
EPC
FET，MOSFET - 單個
GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
暫無價格
參考庫存:17924
FET，MOSFET - 單個
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參考庫存:215432
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參考庫存:17934
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暫無價格
參考庫存:17936
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