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FET，MOSFET - 單個
SIHB12N60ET5-GE3參考圖片

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SIHB12N60ET5-GE3

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
E
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
380 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
58nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
937pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
147W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（D2Pak）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
暫無價格
參考庫存:55006
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F
暫無價格
參考庫存:55014
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
暫無價格
參考庫存:55022
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 83A TO-247
暫無價格
參考庫存:55038
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
暫無價格
參考庫存:55046
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