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FET，MOSFET - 單個

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IXTH20N65X2

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
185 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
27nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
290W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
優勢價格，IXTH20N65X2的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:376028
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
暫無價格
參考庫存:16030
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
暫無價格
參考庫存:13532
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
暫無價格
參考庫存:13464
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V TO-220
暫無價格
參考庫存:6061
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