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FET，MOSFET - 單個
2SJ661-1E參考圖片

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2SJ661-1E

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 60V 38A
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
38A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
39 毫歐 @ 19A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
80nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4360pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.65W（Ta），65W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:59294
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
暫無價格
參考庫存:59334
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:59342
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
暫無價格
參考庫存:59358
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
暫無價格
參考庫存:59374
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