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FET,MOSFET - 單個
BSM600C12P3G201參考圖片

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BSM600C12P3G201

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiC(碳化硅結晶體管)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
600A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 182mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
5.6V @ 182mA
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
28000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2460W(Tc)
工作溫度
175°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
暫無價格
參考庫存:50621
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:50645
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50653
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
暫無價格
參考庫存:50685
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:50693
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