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FET，MOSFET - 單個
RQ3E120BNTB參考圖片

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RQ3E120BNTB

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
9.3 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
29nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
優勢價格，RQ3E120BNTB的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:36253
FET，MOSFET - 單個
PMPB24EP/SOT1220/SOT1220
暫無價格
參考庫存:36269
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
暫無價格
參考庫存:36277
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
暫無價格
參考庫存:36285
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
暫無價格
參考庫存:36293
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