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FET，MOSFET - 單個
R6004JNJGTL參考圖片

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R6004JNJGTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.43 歐姆 @ 2A，15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
7V @ 450μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
10.5nC @ 15V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
260pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
暫無價格
參考庫存:24526
FET，MOSFET - 單個
IXTA1R6N100D2 TRL
暫無價格
參考庫存:37764
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
暫無價格
參考庫存:37772
FET，MOSFET - 單個
IXFP14N55X2M
暫無價格
參考庫存:16568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 850V 40A TO247
暫無價格
參考庫存:8180
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