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FET，MOSFET - 單個
SIHW47N60E-GE3參考圖片

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SIHW47N60E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
47A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
64 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
220nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
9620pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
357W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AD
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
暫無價格
參考庫存:49617
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
暫無價格
參考庫存:14816
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
暫無價格
參考庫存:14167
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
暫無價格
參考庫存:49653
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
暫無價格
參考庫存:49669
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