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FET,MOSFET - 單個
SIS780DN-T1-GE3參考圖片

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SIS780DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
18A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
13.5 毫歐 @ 15A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
24.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
722pF @ 15V
FET 功能
肖特基二極管(體)
功率耗散(最大值)
27.7W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
優勢價格,SIS780DN-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:5422
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:51333
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
暫無價格
參考庫存:106642
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
暫無價格
參考庫存:2480402
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
暫無價格
參考庫存:51361
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