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FET,MOSFET - 單個
STU1HN60K3參考圖片

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STU1HN60K3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
SuperMESH3?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
1.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
8 歐姆 @ 600mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
9.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
140pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
27W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I-PAK
封裝/外殼
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
商品其它信息
優勢價格,STU1HN60K3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
暫無價格
參考庫存:41667
FET,MOSFET - 單個
TRENCH >=100V
暫無價格
參考庫存:41675
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V D2PAK
暫無價格
參考庫存:41683
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:41691
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
暫無價格
參考庫存:41715
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