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FET，MOSFET - 單個
SIS415DNT-T1-GE3參考圖片

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SIS415DNT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
Digi-Key 停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
180nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5460pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
暫無價格
參考庫存:42300
FET，MOSFET - 單個
RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
暫無價格
參考庫存:42308
FET，MOSFET - 單個
IXTA220N04T2 TRL
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FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
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FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
暫無價格
參考庫存:42326
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