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FET,MOSFET - 單個
SCTW35N65G2V參考圖片

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SCTW35N65G2V

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
汽車級,AEC-Q101
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
45A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V,20V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
67毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
73nC @ 20V
Vgs(最大值)
+22V,-10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1370pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
240W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247?
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SCTW35N65G2V的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 16A TO-268
暫無價格
參考庫存:34638
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 68A TO-268
暫無價格
參考庫存:34646
FET,MOSFET - 單個
DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T
暫無價格
參考庫存:11226
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
暫無價格
參考庫存:9801
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
暫無價格
參考庫存:9488
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