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FET，MOSFET - 單個
SI4464DY-T1-GE3參考圖片

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SI4464DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
240 毫歐 @ 2.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
暫無價格
參考庫存:17930
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
暫無價格
參考庫存:5386
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:15438
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
暫無價格
參考庫存:62958
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
暫無價格
參考庫存:17960
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